SN74CBTD3305CD
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 SOIC-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74CBT3245CDW
Texas Instruments · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SOIC-20 封装。SN74CBT3125CDE4
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SOIC-14 封装。PI3CH1000LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.25～3.63 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-24 封装。74CBTLV16211GRG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 4 Ω，采用 TSSOP-56 封装。74CBTLV3126RGYRG4
Texas Instruments · 封装：VQFN-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 VQFN-14 封装。SN74CBT3125CPWRE4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-14 封装。SN74CBTS3306PWE4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 14 Ω，采用 TSSOP-8 封装。SN74CBTLV3245ADWE4
Texas Instruments · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-20 封装。SN74CBTLV3383DWE4
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 27 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-24 封装。SN74CBT3861DBQRG4
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 QSOP-24 封装。SN74TVC3010DBQRG4
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、导通电阻（最大值） 12.5 Ω、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 QSOP-24 封装。SN74TVC3306DCURG4
Texas Instruments · 封装：VSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括位数 2 位、导通电阻（最大值） 16.5 Ω、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.000339 oz，采用 VSSOP-8 封装。SN74CB3T3383PWRG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 5 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 TSSOP-24 封装。74CB3T3306DCURG4
Texas Instruments · 封装：VSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 VSSOP-8 封装。SN74CBT3383DWRG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-24 封装。74CBT16245DGGRE4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 TSSOP-48 封装。74CBTLVD3384BQ,118
Nexperia · 封装：DHVQFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 12 Ω、传播延迟（最大值） 220 ps，采用 DHVQFN-24 封装。CBTD3306GT,115
Nexperia · 封装：XSON-8
该型号为集成电路，主要参数包括位数 2 位，采用 XSON-8 封装。CBTD3861BQ,118
Nexperia · 封装：DHVQFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位，采用 DHVQFN-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。