74CB3T1G125DBVRE4
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 SOT-23-5 封装。逻辑与时钟
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
45,197 条型号记录SN74CBT16209ADLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 18 位、导通电阻（最大值） 14 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SSOP-48 封装。74CBTLVD3244BQ,115
Nexperia · 封装：DHVQFN-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω、传播延迟（最大值） 220 ps，采用 DHVQFN-20 封装。SN74CBT3245ADBQRE4
Texas Instruments · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 QSOP-20 封装。CBT3244APW,134
Nexperia · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 15 Ω，采用 TSSOP-20 封装。CBT3861BQ,118
Nexperia · 封装：DHVQFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位，采用 DHVQFN-24 封装。74CBTLVD3384PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 12 Ω、传播延迟（最大值） 220 ps，采用 TSSOP-24 封装。SN74CBTD3384CDWRG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 SOIC-24 封装。PI3CH200LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.25～3.63 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP Wide 封装。SN74CBT16211CDGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-56 封装。SN74CBT3861DWRE4
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-24 封装。SN74CB3T3245DWRG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 8.5 Ω，采用 SOIC-20 封装。74CB3Q3125DBQRE4
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 4 Ω，采用 SSOP-16 封装。SN74CBTD3861PWRE4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-24 封装。SN74CBTD3305CPWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 TSSOP-8 封装。SN74CB3T3384PWG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 TSSOP-24 封装。SN74CBT3345CDW
Texas Instruments · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SOIC-20 封装。SN74CBT16211CDL
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SSOP-56 封装。SN74CBTD3861DWG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-24 封装。SN74CB3T3125PWG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 TSSOP-14 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。