SN74CB3Q16210DLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 SSOP-48 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74CBTLV3861DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 40 Ω，采用 TVSOP-24 封装。PI3CH800LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.25～3.63 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP Wide 封装。PI3CH1010LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.25～3.63 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω、传播延迟（最大值） 300 us，采用 TSSOP-24 封装。QS3VH244PAG
IDT · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBTD3306PWG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-8 封装。SN74CBT3125CD
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SOIC-14 封装。74CBT16210DGGRE4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-48 封装。74CBTLV3244PGG
IDT · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 8 位、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBT3384ADGVRE4
Texas Instruments · 封装：TVSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-24 封装。SN74CB3Q3305PWG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-8 封装。74CBTLV16210DLG4
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-48 封装。SN74CBT16292DL
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、位数 12 位、导通电阻（最大值） 7 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 SSOP-56 封装。SN74CBT3383PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-24 封装。SN74CBTS3306D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 14 Ω，采用 SOIC-8 封装。SN74CB3Q16244DL
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 SSOP-48 封装。74CBTLV16211PAG
IDT · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 24 位、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-56 封装。PI3CH400LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.25～3.63 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP Wide 封装。74CB3T3384DBQRG4
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 QSOP-24 封装。74CB3Q3245RGYRG4
Texas Instruments · 封装：VQFN-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 VQFN-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。