SN74CBT3861DBQR
Texas Instruments · 封装:QSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 QSOP-24 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:QSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 QSOP-24 封装。Texas Instruments · 封装:SC70-5
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻(最大值) 25 Ω,采用 SC70-5 封装。IDT · 封装:TSSOP-48
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 20 位、导通电阻(最大值) 9 Ω、传播延迟(最大值) 200 ps,采用 TSSOP-48 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻(最大值) 5 Ω,采用 TSSOP-20 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SSOP-14 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-48
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SSOP-48 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SOIC-14 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻(最大值) 12 Ω,采用 SOIC-20 封装。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括位数 4 位。Texas Instruments · 封装:SSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SSOP-20 封装。Texas Instruments · 封装:TVSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 20 Ω,采用 TVSOP-24 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻(最大值) 12 Ω,采用 SOIC-20 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-48
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 9 Ω,采用 SSOP-48 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、位数 10 位、导通电阻(最大值) 27 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-24 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 2 位、导通电阻(最大值) 3 Ω、传播延迟(最大值) 3 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SSOP-16 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SSOP-20 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-48
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻(最大值) 12 Ω,采用 SSOP-48 封装。Nexperia · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括认证等级 AEC-Q100,采用 TSSOP-20 封装。IDT · 封装:PLCC-44
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 3.63 mm,采用 PLCC-44 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-56
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 24 位、导通电阻(最大值) 6 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SSOP-56 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。