QS3383QG
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-24 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74CBT16211CDLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SSOP-56 封装。SN74CBTD3306CPW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 TSSOP-8 封装。SN74CB3T3245DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 8.5 Ω，采用 SOIC-20 封装。SN74CBT3245CDBR
Texas Instruments · 封装：SSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SSOP-20 封装。SN74CBT6845CPWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBT16209ADGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 18 位、导通电阻（最大值） 14 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TVSOP-48 封装。74CBTLV1G125DBVRG4
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 25 Ω，采用 SOT-23-5 封装。QS3VH244PAG8
IDT · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、高度 1 mm、长度 6.5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 IDTQS3VH244PAG8 QS3VH244、单件重量 0.006737 oz，采用 TSSOP-20 封装。PI5C3306LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 TSSOP-8 封装。SN74CBT3125CPWRG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-14 封装。TS5N214PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 3 Ω、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-16 封装。SN74CBT16212ADGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 14 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-56 封装。74CBTLV3125DS,118
Nexperia · 封装：SSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 60 Ω、传播延迟（最大值） 310 ps，采用 SSOP-16 封装。SN74CBT16210DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-48 封装。SN74CBTLV3125DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-14 封装。SN74CBT16212CDGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 150 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TVSOP-56 封装。TS5N214PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 3 Ω、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-16 封装。SN74CBTLV16800DLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-48 封装。SN74CBTLV16212DLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 27 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SSOP-56 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。