TC7MPB9326FK(EL)
Toshiba · 封装：VSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65 V to 5 V, 2.3 V to 5.5 V、电源电压（最大值） 5 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V, 2.3 V、导通电阻（最大值） 16 Ω、传播延迟（最大值） 1.2 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 VSSOP-14 封装。逻辑与时钟
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
45,197 条型号记录TC7QPB9307FK(EL)
Toshiba · 封装：VSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65 V to 5 V, 2.3 V to 5.5 V、电源电压（最大值） 5 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V, 2.3 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 16 Ω、传播延迟（最大值） 1.2 ns，采用 VSSOP-14 封装。TC7MPB9326FT(EL)
Toshiba
该型号为集成电路。TC7MPB9327FT(EL)
Toshiba
该型号为集成电路。TC7SB3157DL6X,L
Toshiba · 封装：MP6D-6
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、导通电阻（最大值） 30 Ω、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 MP6D-6 封装。TC7SB67CFU,LF(CT
Toshiba · 封装：SSOP-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 30 Ω、最小工作温度 - 40 C，采用 SSOP-5 封装。TC7SBL384CFU,LF(CT
Toshiba · 封装：SSOP-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.65 V、导通电阻（最大值） 27 Ω、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SSOP-5 封装。TC7SBL66CFU,LF(CT
Toshiba · 封装：SSOP-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.65 V、导通电阻（最大值） 27 Ω、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SSOP-5 封装。TC7WB66CFK,LF(CT
Toshiba · 封装：US-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 30 Ω、最小工作温度 - 40 C，采用 US-8 封装。OT384,112
WeEn Semiconductors
该型号为集成电路，主要参数包括型号别名 934056516112。TC7QPB9307FT(EL)
Toshiba · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65 V to 5 V, 2.3 V to 5.5 V、电源电压（最大值） 5 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V, 2.3 V、导通电阻（最大值） 16 Ω、传播延迟（最大值） 1.2 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-14 封装。TC7SB66CFU,LF(CT
Toshiba · 封装：SSOP-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 12 Ω、最小工作温度 - 40 C，采用 SSOP-5 封装。TC7WPB9307FK,LF(CT
Toshiba · 封装：CSON-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65 V to 5 V, 2.3 V to 5.5 V、电源电压（最大值） 5 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V, 2.3 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 16 Ω、传播延迟（最大值） 1.2 ns，采用 CSON-8 封装。TC7WBL3305CFK,L(CT
Toshiba · 封装：US-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.65 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 27 Ω、最小工作温度 - 40 C，采用 US-8 封装。TC7WBL3306CFK,L(CT
Toshiba · 封装：US-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.65 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 27 Ω、最小工作温度 - 40 C，采用 US-8 封装。TC7SPB9306TU,LF(CT
Toshiba · 封装：UF-6
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65 V to 5 V, 2.3 V to 5.5 V、电源电压（最大值） 5 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V, 2.3 V、位数 1 位、导通电阻（最大值） 16 Ω、传播延迟（最大值） 1.2 ns，采用 UF-6 封装。TC7SPB9307TU,LF(CT
Toshiba · 封装：UF-6
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65 V to 5 V, 2.3 V to 5.5 V、电源电压（最大值） 5 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V, 2.3 V、位数 1 位、导通电阻（最大值） 16 Ω、传播延迟（最大值） 1.2 ns，采用 UF-6 封装。728981JG
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括型号别名 IDT728981JG。74CBTLV3862QG
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-24 封装。OT391,412
WeEn Semiconductors
该型号为集成电路，主要参数包括型号别名 934056922412。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。