CBT3125D,112
Nexperia · 封装:SO-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻(最大值) 10 Ω,采用 SO-14 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Nexperia · 封装:SO-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻(最大值) 10 Ω,采用 SO-14 封装。Nexperia · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括认证等级 AEC-Q100,采用 TSSOP-20 封装。Microchip / Microsemi
该型号为集成电路,主要参数包括湿敏性 是。IDT
该型号为集成电路,主要参数包括型号别名 IDT72V8981JG8。IDT · 封装:QSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括位数 10 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 74CBTLV3384 IDT74CBTLV3384QG、单件重量 0.009016 oz,采用 QSOP-24 封装。IDT
该型号为集成电路,主要参数包括型号别名 IDT72V70190PFG8。IDT · 封装:QSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括位数 8 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 74CBTLV3244 IDT74CBTLV3244QG、单件重量 0.008508 oz,采用 QSOP-20 封装。Nexperia · 封装:TSSOP-48
该型号为集成电路,主要参数包括位数 20 位,采用 TSSOP-48 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻(最大值) 12 Ω,采用 TSSOP-20 封装。IDT
该型号为集成电路,主要参数包括型号别名 IDT72V8980JG8。Texas Instruments · 封装:TSSOP-48
该型号为集成电路,主要参数包括位数 22 位、导通电阻(最大值) 12.5 Ω、传播延迟(最大值) 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.007873 oz,采用 TSSOP-48 封装。Microchip / Microsemi
该型号为集成电路。ON Semiconductor
该型号为集成电路,主要参数包括湿敏性 是。Texas Instruments · 封装:SOIC-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 40 Ω,采用 SOIC-24 封装。IDT
该型号为集成电路,主要参数包括型号别名 IDT72V90823PFG8。IDT
该型号为集成电路,主要参数包括型号别名 IDT7290820JG8。Nexperia · 封装:SSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻(最大值) 15 Ω,采用 SSOP-20 封装。Diodes Incorporated · 封装:QSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 1.62 V、位数 10 位、导通电阻(最大值) 25 Ω、传播延迟(最大值) 0.3 ns,采用 QSOP-24 封装。Toshiba · 封装:US-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.65~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.65 V、位数 2 位、导通电阻(最大值) 30 Ω、最小工作温度 - 40 C,采用 US-8 封装。IDT · 封装:PBGA-208
该型号为集成电路,主要参数包括高度 1.76 mm、长度 17 mm、宽度 17 mm、湿敏性 是、型号别名 72V71660,采用 PBGA-208 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。