SN74CBT3383CPWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 150 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-24 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录ZL50018GAG2
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路。SN74CBTLV3126D
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-14 封装。74CBTLV3126PW-Q10J
Nexperia · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括认证等级 AEC-Q100，采用 TSSOP-14 封装。CBTD3384PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 17 Ω，采用 TSSOP-24 封装。SN74CBTS16211DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-56 封装。SN74CBTD1G384DCKR
Texas Instruments · 封装：SC70-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 35 Ω，采用 SC70-5 封装。CBT3244ABQ,115
Nexperia · 封装：DHVQFN-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 15 Ω，采用 DHVQFN-20 封装。SN74CBT3384ADBR
Texas Instruments · 封装：SSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-24 封装。FST3126DTR2G
ON Semiconductor
该型号为集成电路，主要参数包括位数 4 位。SN74TVC3306DCTRE4
Texas Instruments · 封装：SM-8
该型号为集成电路，主要参数包括位数 2 位、导通电阻（最大值） 16.5 Ω、传播延迟（最大值） 1.4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.000825 oz，采用 SM-8 封装。72V90823BCG
IDT · 封装：CABGA-100
该型号为集成电路，主要参数包括高度 1.4 mm、长度 11 mm、宽度 11 mm、湿敏性 是、型号别名 72V90823 IDT72V90823BCG，采用 CABGA-100 封装。74CBTLV3862PGG8
IDT · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 TSSOP-24 封装。74CBTLV16245PAG8
IDT · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括位数 16 位、高度 1 mm、长度 12.5 mm、宽度 6.1 mm、型号别名 74CBTLV16245 IDT74CBTLV16245PAG8、单件重量 0.014850 oz，采用 TSSOP-48 封装。QS32245PAG8
IDT · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、高度 1 mm、长度 6.5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 IDTQS32245PAG8 QS32245、单件重量 0.006737 oz，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBTD16211DLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-56 封装。SN74CB3Q16245DL
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 SSOP-48 封装。QS3VH16245PAG8
IDT · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括位数 16 位、高度 1 mm、长度 12.5 mm、宽度 6.1 mm、型号别名 IDTQS3VH16245PAG8 QS3VH16245、单件重量 0.014850 oz，采用 TSSOP-48 封装。QS3VH16212PAG8
IDT · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括位数 24 位、高度 1 mm、长度 14 mm、宽度 6.1 mm、型号别名 IDTQS3VH16212PAG8 QS3VH16212、单件重量 0.026103 oz，采用 TSSOP-56 封装。CBTD3384DB,118
Nexperia · 封装：SSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 17 Ω，采用 SSOP-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。