SN74CB3T3125PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 TSSOP-14 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74CBT3383CDW
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 12 Ω、传播延迟（最大值） 150 ps，采用 SOIC-24 封装。SN74CBTLV16211DL
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 4 Ω，采用 SSOP-56 封装。SN74CBT3383DBR
Texas Instruments · 封装：SSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SSOP-24 封装。SN74CBT3244DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-20 封装。SN74CBT3126DBR
Texas Instruments · 封装：SSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-14 封装。SN74CBT3244CDBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 QSOP-20 封装。SN74CBTD3305CDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 SOIC-8 封装。SN74CBT16212CDLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 12 Ω、传播延迟（最大值） 150 ps，采用 SSOP-56 封装。FST3126DR2G
ON Semiconductor
该型号为集成电路，主要参数包括位数 4 位。SN74CBTH16211DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-56 封装。SN74CBT16213DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 22 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-56 封装。SN74CBTD1G384DCKT
Texas Instruments · 封装：SC70-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 50 Ω，采用 SC70-5 封装。SN74CBTLV3383DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 27 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-24 封装。SN74CBT3384CDBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 QSOP-24 封装。CBT3306D-Q100J
Nexperia · 封装：SO-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 SO-8 封装。CBT3306GM,125
Nexperia · 封装：XQFN-8
该型号为集成电路，主要参数包括位数 2 位，采用 XQFN-8 封装。ZL50022GAG2
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路。72V70200PFG8
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括型号别名 IDT72V70200PFG8。SN74CBT6800CDGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TVSOP-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。