MT8986AL1
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录QS32245QG
IDT · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 40 Ω、传播延迟（最大值） 1.25 ns，采用 QSOP-20 封装。728985JG
IDT · 封装：PLCC-44
该型号为集成电路，主要参数包括高度 3.63 mm、长度 16.51 mm、宽度 16.51 mm、湿敏性 是、型号别名 728985 IDT728985JG、单件重量 0.084185 oz，采用 PLCC-44 封装。74FST6800QG
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 74FST6800 IDT74FST6800QG、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。SN74CBT16210DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-48 封装。QS3VH2245QG
IDT · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 40 Ω、传播延迟（最大值） 1.35 ns，采用 QSOP-20 封装。72V70190PFG
IDT · 封装：TQFP-64
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、带宽 4 MHz，采用 TQFP-64 封装。72V90823PFG
IDT · 封装：TQFP-100
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.4 mm，采用 TQFP-100 封装。QS3244QG8
IDT · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS3244QG8 QS3244、单件重量 0.008508 oz，采用 QSOP-20 封装。SN74CBTLV3126DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-14 封装。ZL50012QCG1
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。PI3CH400ZBEX
Diodes Incorporated
该型号为集成电路。728985JG8
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括型号别名 IDT728985JG8。CBT3125DB,118
Nexperia · 封装：SSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 SSOP-14 封装。CCBTLV3861IPWRG4Q1
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 40 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 TSSOP-24 封装。74CBTLV1G125GV,125
Nexperia · 封装：SC-74A-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 1 位、导通电阻（最大值） 11 Ω，采用 SC-74A-5 封装。SN74CBTD3384CPW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 TSSOP-24 封装。CBT3306PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 15 Ω，采用 TSSOP-8 封装。CBT3125PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 15 Ω，采用 TSSOP-14 封装。CBTD3306PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 17 Ω，采用 TSSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。