QS3244SOG
IDT · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、高度 2.34 mm、长度 12.8 mm、宽度 7.6 mm、型号别名 IDTQS3244SOG QS3244、单件重量 0.028254 oz，采用 SOIC-20 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录PI5C32X245BEX
Diodes Incorporated · 封装：BQSOP
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、位数 16 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 BQSOP 封装。SN74CBTLV3245AZQNR
Texas Instruments · 封装：BGA-Microstar-Junior-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 BGA-Microstar-Junior-20 封装。SN74CBT3245AZQNR
Texas Instruments · 封装：BGA-Microstar-Junior-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 22 Ω，采用 BGA-Microstar-Junior-20 封装。PI5C3384LE
Diodes Incorporated
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位。SN74CB3T16211ZQLR
Texas Instruments · 封装：BGA-Microstar-Junior-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 9.5 Ω，采用 BGA-Microstar-Junior-56 封装。PI3B32X245BEX
Diodes Incorporated · 封装：BQSOP
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、位数 16 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 BQSOP 封装。PI3C32X384BE
Diodes Incorporated · 封装：BQSOP
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 20 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 1.25 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 BQSOP 封装。PI5C16861AEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 1.25 ns，采用 TSSOP Wide 封装。PI5C3384LEX
Diodes Incorporated
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位。PI5C16861AE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 1.25 ns，采用 TSSOP Wide 封装。PI5C3245QE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 QSOP-20 封装。SN74CB3Q3244ZQNR
Texas Instruments · 封装：BGA-Microstar-Junior-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 5 Ω，采用 BGA-Microstar-Junior-20 封装。SN74CB3Q3245ZQNR
Texas Instruments · 封装：BGA-Microstar-Junior-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 BGA-Microstar-Junior-20 封装。SN74CB3Q32245ZKER
Texas Instruments · 封装：BGA-Microstar-96
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 32 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 BGA-Microstar-96 封装。74CBTLV16211CGRDR
Texas Instruments · 封装：BGA-Microstar-Junior-54
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 BGA-Microstar-Junior-54 封装。74CBTLV16211CZRDR
Texas Instruments · 封装：BGA-Microstar-Junior-54
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 BGA-Microstar-Junior-54 封装。SN74CB3Q16211ZQLR
Texas Instruments · 封装：BGA-Microstar-Junior-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 BGA-Microstar-Junior-56 封装。MT8986AE1
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路。QS3VH126S1G8
IDT · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括位数 4 位、高度 1.5 mm、长度 8.6 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、型号别名 IDTQS3VH126S1G8 QS3VH126，采用 SOIC-14 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。