SN74CBTS3306PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 14 Ω，采用 TSSOP-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74CBTS3384PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-24 封装。QS3125QG8
IDT · 封装：QSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-16 封装。PI3CH800QE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.25～3.63 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 QSOP-20 封装。PI3C3125WE
Diodes Incorporated · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-14 封装。PI3C3384QE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 QSOP-24 封装。QS3126S1G
IDT · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 SOIC-14 封装。MT8980DE1
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路。QS3VH16212PAG
IDT · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 TSSOP-56 封装。PI3CH401LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.25～3.63 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP Wide 封装。MT90812AP1
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。ZL50020QCG1
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。QS34X383Q3G
IDT · 封装：QVSOP-80
该型号为集成电路，主要参数包括位数 32 位、导通电阻（最大值） 17 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.6 mm，采用 QVSOP-80 封装。QS32XVH384Q1G
IDT · 封装：QSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括位数 20 位、高度 1.6 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS32XVH384Q1G QS32XVH384，采用 QSOP-48 封装。QS32245QG8
IDT · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS32245QG8 QS32245、单件重量 0.008508 oz，采用 QSOP-20 封装。74CBTLV3245QG
IDT · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 74CBTLV3245 IDT74CBTLV3245QG、单件重量 0.008508 oz，采用 QSOP-20 封装。QS3244SOG8
IDT · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3～5 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3.3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 SOIC-20 封装。74CBTLV16212PAG
IDT · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 40 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-56 封装。QS3VH244QG
IDT · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS3VH244QG QS3VH244、单件重量 0.008508 oz，采用 QSOP-20 封装。PI3CH401LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.25～3.63 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP Wide 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。