MT90823AB1
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录QS32X384Q1G
IDT · 封装：QSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 20 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-48 封装。QS32XVH2245Q2G8
IDT · 封装：QVSOP-40
该型号为集成电路，主要参数包括位数 16 位、高度 1.6 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.81 mm、型号别名 IDTQS32XVH2245Q2G8 QS32XVH2245，采用 QVSOP-40 封装。TC7MPB9307FK(EL)
Toshiba · 封装：VSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65 V to 5 V, 2.3 V to 5.5 V、电源电压（最大值） 2.3 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V, 2.3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 16 Ω、传播延迟（最大值） 1.2 ns，采用 VSSOP-20 封装。TC7MBL3245CFK(EL)
Toshiba · 封装：VSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.65 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 21 Ω、最小工作温度 - 40 C，采用 VSSOP-20 封装。TC7WBL3305CFK,LF
Toshiba · 封装：US-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.65 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 27 Ω，采用 US-8 封装。PI3C3125WEX
Diodes Incorporated · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-14 封装。QS3VH16211PAG
IDT · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 TSSOP-56 封装。TC7MBL3253CFK(EL)
Toshiba · 封装：VSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.65 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 40 Ω、最小工作温度 - 40 C，采用 VSSOP-16 封装。72V73273BBG
IDT · 封装：PBGA-208
该型号为集成电路，主要参数包括高度 1.76 mm、长度 17 mm、宽度 17 mm、湿敏性 是、型号别名 72V73273 IDT72V73273BBG、单件重量 0.029288 oz，采用 PBGA-208 封装。QS3L384QG
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS3L384QG QS3L384、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。72V90823PQFG
IDT · 封装：PQFP-100
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是、型号别名 72V90823 IDT72V90823PQFG、单件重量 0.062040 oz，采用 PQFP-100 封装。QS34XVH2245Q3G
IDT · 封装：QVSOP-80
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 32 位、导通电阻（最大值） 40 Ω、传播延迟（最大值） 1.35 ns，采用 QVSOP-80 封装。QS3VH16244PAG
IDT · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括位数 16 位、高度 1 mm、长度 12.5 mm、宽度 6.1 mm、型号别名 IDTQS3VH16244PAG QS3VH16244、单件重量 0.014850 oz，采用 TSSOP-48 封装。PI3B3125LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 TSSOP-14 封装。ZL50010QCG1
Microchip / Microsemi · 封装：LQFP-160
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.45 mm，采用 LQFP-160 封装。74CBTLV3862PGG
IDT · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 TSSOP-24 封装。SN74CBT3345CPW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBT3125CPW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-14 封装。QS3VH384PAG8
IDT · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1 mm、长度 7.8 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 IDTQS3VH384PAG8 QS3VH384、单件重量 0.007478 oz，采用 TSSOP-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。