SN74CB3Q3384APW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-24 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录QS3L384QG8
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS3L384QG8 QS3L384、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。SN74CBT3305CPW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-8 封装。SN74CBT3384CPW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-24 封装。PI5C3125QEX
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 22 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 QSOP-16 封装。SN74CBT16244CDLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SSOP-48 封装。PI5C3305LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 TSSOP-8 封装。SN74TVC3010DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、导通电阻（最大值） 12.5 Ω、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.022025 oz，采用 SOIC-24 封装。PI3C3861-AQE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 5 Ω，采用 QSOP-24 封装。PI3CH800QEX
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.25～3.63 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 QSOP-20 封装。PI3C3384QEX
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 QSOP-24 封装。ZL50031QEG1
Microchip / Microsemi · 封装：HQFP-256
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 3.45 mm，采用 HQFP-256 封装。SN74CBTD3384CDW
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 SOIC-24 封装。TC7MBL3125CFT(EL)
Toshiba · 封装：VSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.65 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 27 Ω、最小工作温度 - 40 C，采用 VSSOP-20 封装。MT89L85AP1
Microchip / Microsemi · 封装：PLCC-44
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、配置 8 x 32，采用 PLCC-44 封装。TC7MBL3125CFK(EL)
Toshiba · 封装：VSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.65 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 23 Ω、最小工作温度 - 40 C，采用 VSSOP-14 封装。TC7WPB9306FK,LF(CT
Toshiba · 封装：SSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 16 Ω、传播延迟（最大值） 2.2 ns，采用 SSOP-8 封装。CBT3384PW,112
Nexperia · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 TSSOP-24 封装。MT8986AP1
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。PI3B3861QE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 QSOP-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。