PI3C3305LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP Wide 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录PI3B3126LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 TSSOP-14 封装。SN74CB3T16211DL
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 9.5 Ω，采用 SSOP-56 封装。QS32X2245Q2G
IDT · 封装：QVSOP-40
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 16 位、导通电阻（最大值） 40 Ω、传播延迟（最大值） 1.25 ns，采用 QVSOP-40 封装。QS3126S1G8
IDT · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括位数 4 位、高度 1.5 mm、长度 8.6 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、型号别名 IDTQS3126S1G8 QS3126，采用 SOIC-14 封装。SN74CB3Q3245DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TVSOP-20 封装。74CBTLV3861PGG
IDT · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-24 封装。SN74CBTD3306PWRG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-8 封装。PI5C3245LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 TSSOP Wide 封装。SN74CBT16210CDGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-48 封装。74CBTLV3384PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 60 Ω、传播延迟（最大值） 310 ps，采用 TSSOP-24 封装。PI3C3861-AQEX
Diodes Incorporated
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位。PI3B3125LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 TSSOP-14 封装。PI3B3126QE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 QSOP Wide 封装。74CBTLV3861QG8
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 74CBTLV3861 IDT74CBTLV3861QG8、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。CBTD3384D,118
Nexperia · 封装：SO-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 17 Ω，采用 SO-24 封装。PI3B3126QEX
Diodes Incorporated · 封装：QSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 QSOP Wide 封装。MT90866AG2
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。PI3B3125QEX
Diodes Incorporated · 封装：QSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 QSOP Wide 封装。SN74CBT16245CDL
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SSOP-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。