QS3VH384PAG
IDT · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 TSSOP-24 封装。逻辑与时钟
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
45,197 条型号记录SN74CBTD1G125DCKT
Texas Instruments · 封装：SC70-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 35 Ω，采用 SC70-5 封装。SN74CB3Q3305PWRE4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-8 封装。CBTD3384PW,112
Nexperia · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 17 Ω，采用 TSSOP-24 封装。SN74CBTD3384PWRG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-24 封装。SN74CBT3384APW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-24 封装。TC7MPB9307FT(EL)
Toshiba
该型号为集成电路，主要参数包括单件重量 0.001058 oz。QS32X861Q1G
IDT · 封装：QSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 20 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-48 封装。SN74CBTD3306PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-8 封装。SN74CBT3345PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-20 封装。PI3B3861QEX
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 QSOP-20 封装。PI3B3245QE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 QSOP-20 封装。SN74CBT3245ADGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-20 封装。PI3C3126LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-14 封装。SN74CBTD3306CD
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 SOIC-8 封装。QS3VH126S1G
IDT · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 SOIC-14 封装。PI3B3125QE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 QSOP Wide 封装。SN74CBT3345DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 15 Ω，采用 TVSOP-20 封装。SN74CBT3384CDGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TVSOP-24 封装。PI5C3305LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 TSSOP Wide 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。