SN74CB3Q6800PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-24 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录74CBTLV3384PGG8
IDT · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1 mm、长度 7.8 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 74CBTLV3384 IDT74CBTLV3384PGG8、单件重量 0.007478 oz，采用 TSSOP-24 封装。PI3B3126LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 TSSOP-14 封装。PI3C3245QE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 QSOP-20 封装。SN74CBT16211ADL
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-56 封装。QS32X2384Q1G
IDT · 封装：QSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括位数 20 位、高度 1.6 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS32X2384Q1G QS32X2384，采用 QSOP-48 封装。SN74CBTLV3383PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 27 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-24 封装。SN74CBT1G125DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 SOT-23-5 封装。SN74CBT3306CD
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SOIC-8 封装。SN74CBT3245CPW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBT3125CRGYR
Texas Instruments · 封装：VQFN-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 VQFN-14 封装。74CBTLV3126DS,118
Nexperia · 封装：SSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 60 Ω、传播延迟（最大值） 310 ps，采用 SSOP-16 封装。PI3C3245LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP Wide 封装。QS3VH16861PAG
IDT · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 20 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 TSSOP-48 封装。SN74CBT3861DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-24 封装。SN74CBTD1G125DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 35 Ω，采用 SOT-23-5 封装。PI3C3245QEX
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 QSOP-20 封装。SN74CBT16811CDGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-56 封装。SN74TVC3010PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、导通电阻（最大值） 12.5 Ω、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.003157 oz，采用 TSSOP-24 封装。QS3VH861QG8
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS3VH861QG8 QS3VH861、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。