QS32XVH2245Q2G
IDT · 封装：QVSOP-40
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、位数 16 位、导通电阻（最大值） 40 Ω、传播延迟（最大值） 1.35 ns，采用 QVSOP-40 封装。逻辑与时钟
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
45,197 条型号记录SN74CBT16211CDGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TVSOP-56 封装。CCBTLV3861IPWRQ1
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 40 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 TSSOP-24 封装。SN74CBT3245ARGYR
Texas Instruments · 封装：VQFN-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 VQFN-20 封装。QS3VH125S1G8
IDT · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括位数 4 位、高度 1.5 mm、长度 8.6 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、型号别名 IDTQS3VH125S1G8 QS3VH125，采用 SOIC-14 封装。SN74CBT3245ADBR
Texas Instruments · 封装：SSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-20 封装。SN74CBT3126PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-14 封装。SN74CBTD3306CDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 SOIC-8 封装。PI5C3245LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 TSSOP Wide 封装。SN74CB3Q6800DBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 QSOP-24 封装。SN74CBT3126D
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-14 封装。SN74CB3Q6800PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-24 封装。QS3126QG8
IDT · 封装：QSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括位数 4 位、高度 1.47 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS3126QG8 QS3126、单件重量 0.010159 oz，采用 QSOP-16 封装。QS3125S1G8
IDT · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 SOIC-14 封装。PI3C3245LEX
Diodes Incorporated
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位。PI5C3384QEX
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 QSOP-24 封装。SN74CBT6845CRGYR
Texas Instruments · 封装：VQFN-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 VQFN-20 封装。FSTD3125MTCX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 7 V、电源电压（最小值） 0.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 35 Ω，采用 TSSOP-14 封装。MT8980DP1
Microchip / Microsemi · 封装：PLCC-44
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、配置 8 x 32，采用 PLCC-44 封装。74CBTLV1G125GN,132
Nexperia · 封装：XSON-6
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 1 位、导通电阻（最大值） 38 Ω、传播延迟（最大值） 320 ps，采用 XSON-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。