SN74CBT3383CDBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 150 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QSOP-24 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74CBT3125PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-14 封装。SN74CBTD3306D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-8 封装。SN74CBT3125DBQR
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-16 封装。PI3C3306LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。SN74CBTLV3861PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 40 Ω，采用 TSSOP-24 封装。MT8981DP1
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。SN74CBT16210CDGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TVSOP-48 封装。SN74CB3Q3384APWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-24 封装。SN74CBT3244RGYR
Texas Instruments · 封装：VQFN-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 VQFN-20 封装。74CBTLV3245PGG
IDT · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 8 位、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBT3345DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-20 封装。SN74CBT3244CDGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TVSOP-20 封装。74CBTLV1G125GM,115
Nexperia · 封装：XSON-6
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 1 位、导通电阻（最大值） 11 Ω，采用 XSON-6 封装。PI3CH800LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.25～3.63 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP Wide 封装。MT89L80AP1
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。SN74TVC3010DBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、导通电阻（最大值） 12.5 Ω、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 QSOP-24 封装。SN74CBTLV16212VR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 27 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TVSOP-56 封装。SN74CBT16212ADLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 14 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SSOP-56 封装。SN74CBT16245DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 TVSOP-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。