SN74CB3Q3345PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-20 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录QS3VH861QG
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 QSOP-24 封装。QS3VH245QG8
IDT · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 QSOP-20 封装。SN74CBT3244PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBTD3384DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-24 封装。SN74CBT3345CPWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBTD3384DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-24 封装。SN74CBT3245CPWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBT3383CDWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 150 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-24 封装。QS3244QG
IDT · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-20 封装。SN74CBTD16211DL
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-56 封装。SN74CBT16244DLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-48 封装。PI5C3125QE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 22 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 QSOP-16 封装。SN74CB3Q6800DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TVSOP-24 封装。QS3125QG
IDT · 封装：QSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-16 封装。SN74CBT3384ADW
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-24 封装。PI3B3245QEX
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 QSOP-20 封装。PI3C3125LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-14 封装。ZL50022QCG1
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。MT8985AP1
Microchip / Microsemi · 封装：PLCC-44
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、配置 8 x 32，采用 PLCC-44 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。