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QS34X2245Q3G

IDT · 封装：QVSOP-80

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 32 位、导通电阻（最大值） 40 Ω、传播延迟（最大值） 1.25 ns，采用 QVSOP-80 封装。
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SN74CB3T3384PW

Texas Instruments · 封装：TSSOP-24

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 TSSOP-24 封装。
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SN74CB3T3384DBQR

Texas Instruments · 封装：QSOP-24

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 QSOP-24 封装。
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SN74CB3T3383DWR

Texas Instruments · 封装：SOIC-24

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 5 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 SOIC-24 封装。
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SN74CBT16210CDLR

Texas Instruments · 封装：SSOP-48

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SSOP-48 封装。
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SN74CBTD3861DW

Texas Instruments · 封装：SOIC-24

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-24 封装。
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74CBTLV3125PGG

IDT · 封装：TSSOP-14

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 40 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 TSSOP-14 封装。
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SN74CBT3305CD

Texas Instruments · 封装：SOIC-8

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SOIC-8 封装。
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SN74CB3T16212DGGR

Texas Instruments · 封装：TSSOP-56

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 Bus Switches and Interfaces、位数 24 位、导通电阻（最大值） 8.5 Ω，采用 TSSOP-56 封装。
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SN74CBTLV3861DBQR

Texas Instruments · 封装：QSOP-24

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 40 Ω，采用 QSOP-24 封装。
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SN74CBT3245CDGVR

Texas Instruments · 封装：TVSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TVSOP-20 封装。
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SN74CBT3244CRGYR

Texas Instruments · 封装：VQFN-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 VQFN-20 封装。
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SN74CBT3245CDWR

Texas Instruments · 封装：SOIC-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SOIC-20 封装。
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QS34XVH245Q3G

IDT · 封装：QVSOP-80

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QVSOP-80 封装。
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PI3VT3306LE

Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-8

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 25 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。
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PI3C3126QEX

Diodes Incorporated · 封装：QSOP Wide

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 QSOP Wide 封装。
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PI3C3126QE

Diodes Incorporated · 封装：QSOP-16

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 QSOP-16 封装。
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SN74CBT3383DW

Texas Instruments · 封装：SOIC-24

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-24 封装。
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SN74CB3Q3244PW

Texas Instruments · 封装：TSSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 5 Ω，采用 TSSOP-20 封装。
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SN74CB3Q3244DBQR

Texas Instruments · 封装：QSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 5 Ω，采用 QSOP-20 封装。
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