SN74CBT3125RGYR
Texas Instruments · 封装：VQFN-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 VQFN-14 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74CBT3125DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-14 封装。PI3C3305LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP Wide 封装。MT90869AG2
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。PI3C3306LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP Wide 封装。SN74CB3T16211DLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 9.5 Ω，采用 SSOP-56 封装。FSLV16211MTDX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TSSOP-56 Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 7 Ω、传播延迟（最大值） 150 ps，采用 TSSOP-56 Wide 封装。SN74CBT3245APW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-20 封装。74CBTLV3384PGG
IDT · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 40 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 TSSOP-24 封装。74CBTLV3245PGG8
IDT · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、高度 1 mm、长度 6.5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 74CBTLV3245 IDT74CBTLV3245PGG8、单件重量 0.006737 oz，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBT3345DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-20 封装。QS3VH245QG
IDT · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 QSOP-20 封装。TC7MBL3253CFT(EL)
Toshiba · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。PI5C3384QE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 QSOP-24 封装。SN74CBTLV16210GR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-48 封装。SN74CBTLV3245ADBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 QSOP-20 封装。SN74CBTD3861DBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 QSOP-24 封装。SN74CBT3125DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-14 封装。SN74CBTD3861DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-24 封装。QS3125S1G
IDT · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 SOIC-14 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。