SN74CBTLV3384DGVR
Texas Instruments · 封装:TVSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 TVSOP-24 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:TVSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 TVSOP-24 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:US8-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 7 V、电源电压(最小值) 0.5 V、位数 2 位、导通电阻(最大值) 20 Ω、传播延迟(最大值) 250 us,采用 US8-8 封装。Texas Instruments · 封装:TVSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、位数 10 位、导通电阻(最大值) 27 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TVSOP-24 封装。Texas Instruments · 封装:SC70-5
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻(最大值) 20 Ω,采用 SC70-5 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻(最大值) 12 Ω,采用 TSSOP-14 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 TSSOP-24 封装。Diodes Incorporated · 封装:QSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 10 Ω,采用 QSOP-24 封装。Texas Instruments · 封装:SOT-23-5
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻(最大值) 20 Ω,采用 SOT-23-5 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻(最大值) 4 Ω,采用 TSSOP-14 封装。Diodes Incorporated · 封装:QSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、位数 8 位、导通电阻(最大值) 10 Ω、传播延迟(最大值) 250 us,采用 QSOP-20 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻(最大值) 9 Ω,采用 TSSOP-8 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 TSSOP-24 封装。IDT · 封装:TSSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、位数 10 位、导通电阻(最大值) 15 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps,采用 TSSOP-24 封装。IDT · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、位数 8 位、导通电阻(最大值) 12 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps,采用 TSSOP-20 封装。Nexperia · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 8 位、导通电阻(最大值) 15 Ω、传播延迟(最大值) 200 ps,采用 TSSOP-20 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SOIC-24 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 TSSOP-24 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SSOP-24 封装。IDT · 封装:QSOP-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、位数 4 位、导通电阻(最大值) 15 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps,采用 QSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。