SN74CBTD1G125DCKR
Texas Instruments · 封装：SC70-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 35 Ω，采用 SC70-5 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74CB3Q3306APW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-8 封装。SN74CBTD3384DBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 QSOP-24 封装。SN74CBT3306PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-8 封装。QS32X245Q2G
IDT · 封装：QVSOP-40
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 16 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QVSOP-40 封装。SN74CBT3306DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-8 封装。FST3125MTCX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TSSOP-14 Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-14 Wide 封装。QS3VH125QG8
IDT · 封装：QSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 QSOP-16 封装。SN74CBTD1G125DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 35 Ω，采用 SOT-23-5 封装。FSTD16211MTDX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 35 Ω，采用 TSSOP-56 封装。SN74CBT1G384DCKR
Texas Instruments · 封装：SC70-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 SC70-5 封装。NC7SZ384P5X
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SC-70-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 7 V、电源电压（最小值） 0.5 V、位数 1 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 SC-70-5 封装。74CBTLV3125PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 60 Ω、传播延迟（最大值） 310 ps，采用 TSSOP-14 封装。CCB3T1G125QDCKRQ1
Texas Instruments · 封装：SC70-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 SC70-5 封装。74CBTLV1G125DBVRQ1
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 25 Ω，采用 SOT-23-5 封装。SN74CBTLV3245ADWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-20 封装。74CBTLV3125PGG8
IDT · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括位数 4 位、高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 74CBTLV3125 IDT74CBTLV3125PGG8、单件重量 0.004949 oz，采用 TSSOP-14 封装。SN74CBTD1G384DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 35 Ω，采用 SOT-23-5 封装。PI3CH200LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.25～3.63 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP Wide 封装。PI5C3861QE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 QSOP-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。