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QS3861PAG

IDT · 封装：TSSOP-24

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 TSSOP-24 封装。
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QS3861QG

IDT · 封装：QSOP-24

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-24 封装。
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SN74CBTD3306PWR

Texas Instruments · 封装：TSSOP-8

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-8 封装。
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SN74CBTLV3245APW

Texas Instruments · 封装：TSSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-20 封装。
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SN74CBTLV3245ARGYR

Texas Instruments · 封装：VQFN-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 VQFN-20 封装。
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SN74CB3Q3306ADCUR

Texas Instruments · 封装：VSSOP-8

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 VSSOP-8 封装。
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SN74CB3T3245PW

Texas Instruments · 封装：TSSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 8.5 Ω，采用 TSSOP-20 封装。
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QS3VH126QG

IDT · 封装：QSOP-16

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 QSOP-16 封装。
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SN74CBTLV3126DGVR

Texas Instruments · 封装：TVSOP-14

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-14 封装。
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SN74CBTLV3126PW

Texas Instruments · 封装：TSSOP-14

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-14 封装。
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QS3384QG

IDT · 封装：QSOP-24

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-24 封装。
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SN74CBT3244CPWR

Texas Instruments · 封装：TSSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-20 封装。
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SN74CBT3306PWR

Texas Instruments · 封装：TSSOP-8

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-8 封装。
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SN74CBT1G125DBVR

Texas Instruments · 封装：SOT-23-5

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 SOT-23-5 封装。
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QS3861QG8

IDT · 封装：QSOP-24

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-24 封装。
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QS3245QG8

IDT · 封装：QSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-20 封装。
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74CBTLV3126BQ,115

Nexperia · 封装：DHVQFN-14

该型号为集成电路，主要参数包括位数 4 位，采用 DHVQFN-14 封装。
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FST3245MTCX

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TSSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-20 封装。
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SN74CB3Q3345RGYR

Texas Instruments · 封装：VQFN-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 VQFN-20 封装。
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QS3VH125QG

IDT · 封装：QSOP-16

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 QSOP-16 封装。
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