SN74CB3Q3345DBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 QSOP-20 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录728981DBG
IDT · 封装：PQFP-44
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是、型号别名 728981 IDT728981DBG、单件重量 0.017588 oz，采用 PQFP-44 封装。72V8981JG
IDT · 封装：PLCC-44
该型号为集成电路，主要参数包括高度 3.63 mm、长度 16.51 mm、宽度 16.51 mm、湿敏性 是、型号别名 72V8981 IDT72V8981JG、单件重量 0.084185 oz，采用 PLCC-44 封装。72V8980JG
IDT · 封装：PLCC-44
该型号为集成电路，主要参数包括高度 3.63 mm、长度 16.51 mm、宽度 16.51 mm、湿敏性 是、型号别名 72V8980 IDT72V8980JG、单件重量 0.084185 oz，采用 PLCC-44 封装。CCB3Q3306AMPWEP
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 66 Ω、传播延迟（最大值） 2.3 ns，采用 TSSOP-8 封装。72V70800PFG
IDT · 封装：TQFP-64
该型号为集成电路，主要参数包括高度 1.4 mm、长度 14 mm、宽度 14 mm、湿敏性 是、型号别名 72V70800 IDT72V70800PFG、单件重量 0.012720 oz，采用 TQFP-64 封装。72V71660DRG
IDT · 封装：PQFP-208
该型号为集成电路，主要参数包括高度 3.5 mm、长度 28 mm、宽度 28 mm、湿敏性 是、型号别名 IDT72V71660，采用 PQFP-208 封装。72V70210DAG
IDT · 封装：TQFP-144
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是、型号别名 72V70210 IDT72V70210DAG、单件重量 0.046530 oz，采用 TQFP-144 封装。72V70810TFG
IDT · 封装：TQFP-64
该型号为集成电路，主要参数包括高度 1.4 mm、长度 10 mm、宽度 10 mm、湿敏性 是、型号别名 72V70810 IDT72V70810TFG、单件重量 0.012720 oz，采用 TQFP-64 封装。SN74CB3Q16244DLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 SSOP-48 封装。QS3VH2861QG
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS3VH2861QG QS3VH2861、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。SN74CB3Q16211DLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 SSOP-56 封装。QS3VH862QG
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS3VH862QG QS3VH862、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。PI3CH1000LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.25～3.63 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-24 封装。PI3CH1010LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.25～3.63 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω、传播延迟（最大值） 300 us，采用 TSSOP-24 封装。PI3CH400LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.25～3.63 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP Wide 封装。PI3B3245LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 TSSOP Wide 封装。PI3C3305UEX
Diodes Incorporated · 封装：MSOP
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 MSOP 封装。PI5C3306LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 TSSOP Wide 封装。PI5C3126QEX
Diodes Incorporated
该型号为集成电路，主要参数包括位数 4 位。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。