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SN74CBT16212CDL

Texas Instruments · 封装：SSOP-56

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 12 Ω、传播延迟（最大值） 150 ps，采用 SSOP-56 封装。
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74CBTLV6800QG

IDT · 封装：QSOP-24

该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 74CBTLV6800 IDT74CBTLV6800QG、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。
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74CBTLV6800PGG

IDT · 封装：TSSOP-24

该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1 mm、长度 7.8 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 74CBTLV6800 IDT74CBTLV6800PGG、单件重量 0.007478 oz，采用 TSSOP-24 封装。
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74CBTLV16210PAG

IDT · 封装：TSSOP-48

该型号为集成电路，主要参数包括位数 20 位、高度 1 mm、长度 12.5 mm、宽度 6.1 mm、型号别名 74CBTLV16210 IDT74CBTLV16210PAG、单件重量 0.014850 oz，采用 TSSOP-48 封装。
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SN74CBTLV3861NSR

Texas Instruments · 封装：SOP-24

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 40 Ω，采用 SOP-24 封装。
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QS3244PAG8

IDT · 封装：TSSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 TSSOP-20 封装。
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QS3VH2245PAG

IDT · 封装：TSSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 40 Ω、传播延迟（最大值） 1.35 ns，采用 TSSOP-20 封装。
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SN74CBT16244DGGR

Texas Instruments · 封装：TSSOP-48

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-48 封装。
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SN74CBT3861PWR

Texas Instruments · 封装：TSSOP-24

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-24 封装。
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SN74CB3Q3345PW

Texas Instruments · 封装：TSSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-20 封装。
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SN74CB3T3125PWRE4

Texas Instruments · 封装：TSSOP-14

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 TSSOP-14 封装。
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FST16211MTDX

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TSSOP-56

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-56 封装。
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QS32245PAG

IDT · 封装：TSSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、高度 1 mm、长度 6.5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 IDTQS32245PAG QS32245、单件重量 0.006737 oz，采用 TSSOP-20 封装。
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CBTD16210DGG,118

Nexperia · 封装：TSSOP-48

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 16 Ω，采用 TSSOP-48 封装。
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SN74CBTLV3125PW

Texas Instruments · 封装：TSSOP-14

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-14 封装。
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SN74CB3Q3244DGVR

Texas Instruments · 封装：TVSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 5 Ω，采用 TVSOP-20 封装。
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SN74CB3Q3345DGVR

Texas Instruments · 封装：TVSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TVSOP-20 封装。
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74CB3Q3244DBQRE4

Texas Instruments · 封装：QSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 5 Ω，采用 QSOP-20 封装。
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SN74CB3Q3245DBQR

Texas Instruments · 封装：QSOP-20

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 QSOP-20 封装。
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SN74CB3Q3384ADGVR

Texas Instruments · 封装：TVSOP-24

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TVSOP-24 封装。
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