74CBTLVD3245BQ,115
Nexperia · 封装：DHVQFN-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω、传播延迟（最大值） 220 ps，采用 DHVQFN-20 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74CBTD3384CDBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 QSOP-24 封装。SN74CBTD3384CDBR
Texas Instruments · 封装：SSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 SSOP-24 封装。SN74CBTLV3126DBQR
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-16 封装。SN74CBTD3384CDWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 SOIC-24 封装。SN74CB3Q3306APWRG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-8 封装。74FST6800PGG8
IDT · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1 mm、长度 7.8 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 74FST6800 IDT74FST6800PGG8、单件重量 0.007478 oz，采用 TSSOP-24 封装。SN74CBTS3306DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 14 Ω，采用 SOIC-8 封装。SN74CBTLV3125DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-14 封装。CBT3245ABQ-Q100X
Nexperia · 封装：DHVQFN-20
该型号为集成电路，主要参数包括认证等级 AEC-Q100，采用 DHVQFN-20 封装。74CBTLV3384QG8
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 74CBTLV3384 IDT74CBTLV3384QG8、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。SN74CB3Q3125DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 4 Ω，采用 TVSOP-14 封装。74CBTLV3861QG
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 74CBTLV3861 IDT74CBTLV3861QG、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。74CBTLVD3245PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω、传播延迟（最大值） 220 ps，采用 TSSOP-20 封装。QS3L384PAG
IDT · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1 mm、长度 7.8 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 IDTQS3L384PAG QS3L384、单件重量 0.007478 oz，采用 TSSOP-24 封装。74CBTD3384CDGVRE4
Texas Instruments · 封装：TVSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 TVSOP-24 封装。SN74CBT3244DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-20 封装。SN74CBTLV3384PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-24 封装。QS32XVH245Q2G
IDT · 封装：QVSOP-40
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 16 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 QVSOP-40 封装。QS3VH245SOG
IDT · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、高度 2.34 mm、长度 12.8 mm、宽度 7.6 mm、型号别名 IDTQS3VH245SOG QS3VH245、单件重量 0.028254 oz，采用 SOIC-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。