TC7WB66CFK,LF
Toshiba · 封装：US-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 30 Ω，采用 US-8 封装。逻辑与时钟
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
45,197 条型号记录7WB3306DTR2G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 20 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 TSSOP-8 封装。CBT3245ABQ,115
Nexperia · 封装：DHVQFN-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 DHVQFN-20 封装。74CBTLV1G125GW,125
Nexperia · 封装：TSSOP-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 1 位、导通电阻（最大值） 11 Ω，采用 TSSOP-5 封装。TC7MBL3126CFT(EL)
Toshiba · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.65 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 27 Ω、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-14 封装。SN74CBT3245ADBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 QSOP-20 封装。74CBTLV1G125DCKRG4
Texas Instruments · 封装：SC70-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 25 Ω，采用 SC70-5 封装。SN74CBTLV3245ADGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-20 封装。SN74CB3Q3125PWRE4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 4 Ω，采用 TSSOP-14 封装。SN74CBTLV3383DBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 27 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QSOP-24 封装。SN74CBTLV3125DBQR
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-16 封装。74CBTLV3244BQ,115
Nexperia · 封装：DHVQFN-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 DHVQFN-20 封装。7WBD3306DTR2G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 70 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 TSSOP-8 封装。QS3384QG8
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-24 封装。QS3383QG8
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-24 封装。QS3245SOG
IDT · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 2.34 mm，采用 SOIC-20 封装。QS3245SOG8
IDT · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 2.34 mm，采用 SOIC-20 封装。CBT3384D,118
Nexperia · 封装：SO-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 SO-24 封装。SN74CBT3125D
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-14 封装。SN74CBT3244PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。