CBTD3861PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、导通电阻（最大值） 50 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.007478 oz，采用 TSSOP-24 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74CBT3126DBQR
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-16 封装。SN74CBT3245CRGYR
Texas Instruments · 封装：VQFN-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 VQFN-20 封装。SN74CBTD3861DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-24 封装。SN74CBT3345PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-20 封装。CBT3245APW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 TSSOP-20 封装。TC7WBL3305CFK(5L,F
Toshiba · 封装：US-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.65 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 10.5 Ω、最小工作温度 - 40 C，采用 US-8 封装。QS3306AS1G8
IDT · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 SOIC-8 封装。SN74CBT3125CDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SOIC-14 封装。74CBTLV3126PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 60 Ω、传播延迟（最大值） 310 ps，采用 TSSOP-14 封装。SN74CBT3126DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-14 封装。SN74CBTD3306CPWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 TSSOP-8 封装。SN74CBT3126PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-14 封装。SN74CBT3384APWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-24 封装。SN74CBT3306CPWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-8 封装。SN74CBT3384CPWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-24 封装。74CBTLV3245PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 60 Ω、传播延迟（最大值） 310 ps，采用 TSSOP-20 封装。QS3306AS1G
IDT · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 SOIC-8 封装。74CBTLV3125BQ,115
Nexperia · 封装：DHVQFN-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 11 Ω、传播延迟（最大值） 310 ps，采用 DHVQFN-14 封装。TC7MBL3257CFT(EL)
Toshiba
该型号为集成电路。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。