SN74CBTD16210DLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-48 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74CB3Q16245DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 6 Ω，采用 TVSOP-48 封装。SN74CBT16861DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 22 Ω，采用 TSSOP-48 封装。SN74CB3T3384DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 SOIC-24 封装。SN74CBT16861DLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 22 Ω，采用 SSOP-48 封装。SN74TVC3010DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、导通电阻（最大值） 12.5 Ω、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.022025 oz，采用 SOIC-24 封装。74CBTLV3384BQ,118
Nexperia · 封装：DHVQFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 60 Ω、传播延迟（最大值） 310 ps，采用 DHVQFN-24 封装。ZL50012GDG2
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。QS34X2245Q3G8
IDT · 封装：QVSOP-80
该型号为集成电路，主要参数包括位数 32 位、高度 1.6 mm、长度 20.5 mm、宽度 3.81 mm、型号别名 IDTQS34X2245Q3G8 QS34X2245，采用 QVSOP-80 封装。MT90826AL1
Microchip / Microsemi · 封装：MQFP-160
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、配置 4 x 1024，采用 MQFP-160 封装。74CBTLV16212PAG8
IDT · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括位数 24 位、高度 1 mm、长度 14 mm、宽度 6.1 mm、型号别名 74CBTLV16212 IDT74CBTLV16212PAG8、单件重量 0.026103 oz，采用 TSSOP-56 封装。QS32XVH384Q1G8
IDT · 封装：QSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括位数 20 位、高度 1.6 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS32XVH384Q1G8 QS32XVH384，采用 QSOP-48 封装。ZL50023GAG2
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。QS3VH16211PAG8
IDT · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括位数 24 位、高度 1 mm、长度 14 mm、宽度 6.1 mm、型号别名 IDTQS3VH16211PAG8 QS3VH16211、单件重量 0.026103 oz，采用 TSSOP-56 封装。QS3VH862QG8
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS3VH862QG8 QS3VH862、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。TC7MBL3245CFT(EL)
Toshiba · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.65 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 26 Ω、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBT3125CDBR
Texas Instruments · 封装：SSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SSOP-14 封装。CBT3244AD,118
Nexperia · 封装：SO-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 15 Ω，采用 SO-20 封装。SN74CBT3245CDBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 QSOP-20 封装。SN74CBT3384ADWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。