QS32X245Q2G8
IDT · 封装：QVSOP-40
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 16 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QVSOP-40 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录QS32XVH245Q2G8
IDT · 封装：QVSOP-40
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 16 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 QVSOP-40 封装。ZL50075GAG2
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。SN74CBT3245ADWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-20 封装。QS34XVH2245Q3G8
IDT · 封装：QVSOP-80
该型号为集成电路，主要参数包括位数 32 位、高度 1.6 mm、长度 20.5 mm、宽度 3.81 mm、型号别名 IDTQS34XVH2245Q3G8 QS34XVH2245，采用 QVSOP-80 封装。QS34XVH245Q3G8
IDT · 封装：QVSOP-80
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QVSOP-80 封装。SN74CBTD16210DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-48 封装。SN74CB3Q16245DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 6 Ω，采用 TSSOP-48 封装。QS34X245Q3G8
IDT · 封装：QVSOP-80
该型号为集成电路，主要参数包括位数 32 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.6 mm，采用 QVSOP-80 封装。QS3VH244QG8
IDT · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS3VH244QG8 QS3VH244、单件重量 0.008508 oz，采用 QSOP-20 封装。SN74CBTS16212DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 6 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-56 封装。ZL50016GAG2
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是。SN74CBT16212CDGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 150 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-56 封装。SN74CBTS6800DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-24 封装。SN74CBT6800CDWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SOIC-24 封装。SN74CB3T3245DBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 8.5 Ω，采用 QSOP-20 封装。SN74CBTK6800DBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 QSOP-24 封装。QS3VH2245QG8
IDT · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS3VH2245QG8 QS3VH2245、单件重量 0.008508 oz，采用 QSOP-20 封装。74CBTLV3244PGG8
IDT · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 40 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 TSSOP-20 封装。QS3VH16244PAG8
IDT · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括位数 16 位、高度 1 mm、长度 12.5 mm、宽度 6.1 mm、型号别名 IDTQS3VH16244PAG8 QS3VH16244、单件重量 0.014850 oz，采用 TSSOP-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。