SN74CBTLV3125PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-14 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74CBTLV1G125DCKR
Texas Instruments · 封装：SC70-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 25 Ω，采用 SC70-5 封装。PI3C3306UEX
Diodes Incorporated · 封装：MSOP
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 MSOP 封装。MT90812AL1
Microchip / Microsemi · 封装：MQFP-64
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、传播延迟（最大值） 70 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 MQFP-64 封装。SN74CB3T3245DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 8.5 Ω，采用 TVSOP-20 封装。SN74CB3T3125RGYR
Texas Instruments · 封装：VQFN-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 VQFN-14 封装。SN74TVC3306DCUR
Texas Instruments · 封装：VSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括位数 2 位、导通电阻（最大值） 16.5 Ω、传播延迟（最大值） 1.4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.000339 oz，采用 VSSOP-8 封装。SN74CB3Q3245PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-20 封装。SN74CB3T16211DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 9.5 Ω，采用 TVSOP-56 封装。SN74CB3Q3125RGYR
Texas Instruments · 封装：VQFN-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 4 Ω，采用 VQFN-14 封装。SN74CBT3245APWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBTLV3126RGYR
Texas Instruments · 封装：VQFN-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 VQFN-14 封装。QS3VH126QG8
IDT · 封装：QSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 4 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 QSOP-16 封装。SN74CB3T16210DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9.5 Ω，采用 TSSOP-48 封装。SN74CB3T3125PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 TSSOP-14 封装。SN74CB3T16210DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9.5 Ω，采用 TVSOP-48 封装。QS3VH16861PAG8
IDT · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括位数 20 位、高度 1 mm、长度 12.5 mm、宽度 6.1 mm、型号别名 IDTQS3VH16861PAG8 QS3VH16861、单件重量 0.014850 oz，采用 TSSOP-48 封装。SN74TVC3010PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、导通电阻（最大值） 12.5 Ω、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.003157 oz，采用 TSSOP-24 封装。QS3VH245PAG8
IDT · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBT3306CDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。