SN74TVC3010DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、导通电阻（最大值） 12.5 Ω、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.002148 oz，采用 TVSOP-24 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74TVC3306DCTR
Texas Instruments · 封装：SM-8
该型号为集成电路，主要参数包括位数 2 位、导通电阻（最大值） 16.5 Ω、传播延迟（最大值） 1.4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.000825 oz，采用 SM-8 封装。SN74CBT16211ADGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-56 封装。SN74CBT16244CDGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-48 封装。SN74CBT16292DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、位数 12 位、导通电阻（最大值） 7 Ω、传播延迟（最大值） 500 us，采用 TSSOP-56 封装。SN74CBT3861DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-24 封装。SN74CB3T3245DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 8.5 Ω，采用 SOIC-20 封装。SN74CBT16292DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、位数 12 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 500 us，采用 TVSOP-56 封装。SN74CB3T3125DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 TVSOP-14 封装。SN74CBTS16211DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-56 封装。72V8985JG8
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括湿敏性 是、型号别名 IDT72V8985JG8。74CBTLV16245PAG
IDT · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 16 位、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-48 封装。CCB3T16210QDGGRQ1
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 20 位、导通电阻（最大值） 9.5 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 TSSOP-48 封装。PCA9646PW,118
NXP Semiconductors · 封装：TSSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、耗散功率（Pd） 300 mW，采用 TSSOP-16 封装。QS3VH16210PAG8
IDT · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括位数 20 位、高度 1 mm、长度 12.5 mm、宽度 6.1 mm、型号别名 IDTQS3VH16210PAG8 QS3VH16210、单件重量 0.014850 oz，采用 TSSOP-48 封装。SN74CBTD16211DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-56 封装。SN74CB3T3245PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 8.5 Ω，采用 TSSOP-20 封装。SN74CB3T1G125DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 SOT-23-5 封装。SN74CBTLV3245APWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-20 封装。SN74CBTLV3125RGYR
Texas Instruments · 封装：VQFN-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 VQFN-14 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。