SN74CBTLV16211VR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 4 Ω，采用 TVSOP-56 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74CBTLV16800VR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-48 封装。SN74CBTLV16800GR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-48 封装。SN74CB3T16211DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 9.5 Ω，采用 TSSOP-56 封装。SN74CB3Q16210DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-48 封装。SN74CB3Q16244DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 TSSOP-48 封装。SN74CB3Q16210DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TVSOP-48 封装。SN74CBTLV16211DLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 4 Ω，采用 SSOP-56 封装。QS32X861Q1G8
IDT · 封装：QSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括位数 20 位、高度 1.6 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS32X861Q1G8 QS32X861，采用 QSOP-48 封装。SN74CB3Q16811DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-56 封装。SN74CBTD16210DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TVSOP-48 封装。SN74CBT34X245DBBR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-80
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 32 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-80 封装。SN74CB3Q16811DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TVSOP-56 封装。SN74CB3Q16245DLR
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 6 Ω，采用 SSOP-48 封装。SN74TVC16222ADGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括位数 22 位、导通电阻（最大值） 12.5 Ω、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.007873 oz，采用 TSSOP-48 封装。SN74TVC16222ADGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括位数 22 位、导通电阻（最大值） 12.5 Ω、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.004356 oz，采用 TVSOP-48 封装。74CBTLV16292PAG8
IDT · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括位数 12 位、高度 1 mm、长度 14 mm、宽度 6.1 mm、型号别名 74CBTLV16292 IDT74CBTLV16292PAG8、单件重量 0.026103 oz，采用 TSSOP-56 封装。SN74CB3Q16211DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TVSOP-56 封装。SN74CB3Q16211DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-56 封装。SN74CBTS6800PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。