SN74CBT3383DBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-24 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SN74CBT3383PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-24 封装。SN74CB3T1G125DCKR
Texas Instruments · 封装：SC70-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 SC70-5 封装。QS32X2245Q2G8
IDT · 封装：QVSOP-40
该型号为集成电路，主要参数包括位数 16 位、高度 1.6 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.81 mm、型号别名 IDTQS32X2245Q2G8 QS32X2245，采用 QVSOP-40 封装。QS3VH384QG8
IDT · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS3VH384QG8 QS3VH384、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。SN74CB3Q3125DBQR
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 4 Ω，采用 SSOP-16 封装。SN74CBT16245DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 TSSOP-48 封装。SN74CB3T3306DCTR
Texas Instruments · 封装：SM-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 SM-8 封装。SN74CBTLV3384DBQR
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 QSOP-24 封装。SN74CB3Q3306APWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-8 封装。74CBTLV3861BQ,118
Nexperia · 封装：DHVQFN-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 60 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 DHVQFN-24 封装。SN74CBTLV3384DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-24 封装。74CBTLV3126BQ-Q10X
Nexperia · 封装：DHVQFN-14
该型号为集成电路，主要参数包括认证等级 AEC-Q100，采用 DHVQFN-14 封装。SN74CBTD3384CDGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 TVSOP-24 封装。SN74CBTD3384CPWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 TSSOP-24 封装。74CBTLV3245BQ,115
Nexperia · 封装：DHVQFN-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 8 位、导通电阻（最大值） 60 Ω、传播延迟（最大值） 310 ps，采用 DHVQFN-20 封装。SN74CBT3126RGYR
Texas Instruments · 封装：VQFN-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 VQFN-14 封装。SN74CB3Q16244DGVR
Texas Instruments · 封装：TVSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 16 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 TVSOP-48 封装。SN74CBTLV16211GR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 4 Ω，采用 TSSOP-56 封装。SN74CBTLV16212GR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 27 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-56 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。