DS1100LZ-500+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚,采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、逻辑类型 TTL, Low-Power CMOS、功能 Tapped Delay Line,采用 SOIC-8 封装。Diodes Incorporated
该型号为集成电路。Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括位数 8 位、带宽 500 MHz,采用 TSSOP-20 封装。Diodes Incorporated
该型号为集成电路。Diodes Incorporated
该型号为集成电路。Nexperia · 封装:VSSOP-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 2 位、导通电阻(最大值) 25.5 Ω、传播延迟(最大值) 0.31 ns,采用 VSSOP-8 封装。Nexperia · 封装:TSSOP-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 4 位、导通电阻(最大值) 25.5 Ω、传播延迟(最大值) 0.31 ns,采用 TSSOP-14 封装。Diodes Incorporated
该型号为集成电路。Diodes Incorporated · 封装:QSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 1.62 V、位数 10 位、导通电阻(最大值) 25 Ω、传播延迟(最大值) 0.3 ns,采用 QSOP-24 封装。Nexperia · 封装:XSON-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 2 位、导通电阻(最大值) 25.5 Ω、传播延迟(最大值) 0.31 ns,采用 XSON-8 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-56
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 TSSOP-56 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻(最大值) 9 Ω,采用 VQFN-20 封装。Toshiba
该型号为集成电路。Texas Instruments · 封装:QSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 QSOP-24 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 10 位、导通电阻(最大值) 5 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps,采用 TSSOP-24 封装。Texas Instruments · 封装:QSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 9 Ω,采用 QSOP-24 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻(最大值) 5 Ω,采用 VQFN-20 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。