DS1100LZ-250+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录DS1100LZ-25+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-150+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-200+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-35+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-40+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-45+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-75+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。DS1023S-200+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Programmable Delay Line、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-16 封装。DS1023S-200+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Programmable Delay Line、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-16 封装。DS1023S-25+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、接口类型 Parallel, Serial、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。DS1023S-25+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Programmable Delay Line、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-16 封装。DS1023S-50+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、接口类型 Parallel, Serial、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。DS1023S-50+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Programmable Delay Line、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-16 封装。DS1023S-100+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Programmable Delay Line、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-16 封装。DS1100LZ-250+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-30+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-35+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-40+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-45+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。