DS1124U-25+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：uSOP-10
主要参数包括原产国家或地区 TH、型号别名 DS1124U 90-1124P+025、单件重量 0.004922 oz，采用 uSOP-10 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录DS1135Z-10+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。DS1135LU-30+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：uSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 uSOP-8 封装。DS1135LZ-10+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-8 封装。DS1135LZ-20+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。DS1135LZ-25+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、功能 Multiple Delay Line、传播延迟时间 25 ns，采用 SOIC-8 封装。DS1135LZ-25+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。DS1135LZ-30+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、功能 Multiple Delay Line、传播延迟时间 30 ns，采用 SOIC-8 封装。DS1135LZ-30+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。DS1135Z-10+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、功能 Multiple Delay Line、传播延迟时间 10 ns，采用 SOIC-8 封装。HMC856LC5
Analog Devices · 封装：LCC-32
主要参数包括电源电压（最大值） - 2.9 V、电源电压（最小值） - 3.7 V、数据速率 28 Gb/s、输入信号类型 Differential、逻辑类型 CML、功能 Programmable Delay Line，采用 LCC-32 封装。HMC856LC5TR
Analog Devices · 封装：LCC-32
主要参数包括电源电压（最大值） - 2.9 V、电源电压（最小值） - 3.7 V、数据速率 28 Gb/s、输入信号类型 Differential、逻辑类型 CML、功能 Wideband Time Delay，采用 LCC-32 封装。HMC911LC4B
Analog Devices · 封装：LCC-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.47 V、电源电压（最小值） 3.13 V、数据速率 32 Gb/s、输入信号类型 Differential、功能 Broadband Time Delay、传播延迟时间 480 ps，采用 LCC-24 封装。DS1100LZ-60+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-50+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、功能 Tapped Delay Line、传播延迟时间 50 ns，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-20+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-50+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-500+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-25+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Tapped Delay Line，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-20+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Tapped Delay Line，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。