SY89295UTG
Microchip Technology · 封装：TQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、输入信号类型 LVPECK、功能 Programmable Delay Line、传播延迟时间 3.2 ns to 14.8 ns、电路数 1 Circuit，采用 TQFP-32 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SY89295UTG-TR
Microchip Technology · 封装：TQFP-32
主要参数包括晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是、型号别名 SY89295UTG TR、单件重量 0.002568 oz，采用 TQFP-32 封装。SY89296UMG
Microchip Technology · 封装：MLF-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、功能 Programmable Delay Line、传播延迟时间 3200 ps to 4200 ps、电路数 1 Circuit、最小工作温度 - 40 C，采用 MLF-32 封装。SY89296UMG-TR
Microchip Technology · 封装：MLF-32
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 SY89296UMG TR，采用 MLF-32 封装。SY89296UTG
Microchip Technology · 封装：TQFP-32
主要参数包括晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是、单件重量 0.002568 oz，采用 TQFP-32 封装。SY89296UTG-TR
Microchip Technology · 封装：TQFP-32
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 SY89296UTG TR、单件重量 0.002568 oz，采用 TQFP-32 封装。NB6L295MMNTXG
onsemi · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、功能 Programmable Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 QFN-24 封装。NB6L295MNG
onsemi · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、功能 Programmable Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 QFN-24 封装。NB6L295MNTXG
onsemi · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、功能 Programmable Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 QFN-24 封装。DS1110S-500+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SO-16 封装。DS1100U-60+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：uMAX-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Tapped Delay Line，采用 uMAX-8 封装。DS1100Z-100+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Tapped Delay Line，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-100+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-125+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。DS1110E-50+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 TSSOP-14 封装。DS1110E-500+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 TSSOP-14 封装。DS1110S-50+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Tapped Delay Line，采用 SO-16 封装。DS1135Z-20+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1135Z-20+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。DS1135Z-25+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。