DS1135LZ-15+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录DS1135LZ-15+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。DS1135LZ-20+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、功能 Multiple Delay Line、传播延迟时间 20 ns，采用 SOIC-8 封装。DS1135Z-25+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。DS1135Z-30+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。DS1135Z-6+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1135Z-6+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。DS1135Z-8+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。DS1135Z-8+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。LTC6994HS6-1#WTRMPBF
Analog Devices · 封装：TSOT-23-6
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚，采用 TSOT-23-6 封装。LTC6994HS6-1#WTRPBF
Analog Devices · 封装：TSOT-23-6
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚，采用 TSOT-23-6 封装。LTC6994HS6-2#WTRMPBF
Analog Devices · 封装：TSOT-23-6
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚，采用 TSOT-23-6 封装。LTC6994HS6-2#WTRPBF
Analog Devices · 封装：TSOT-23-6
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚，采用 TSOT-23-6 封装。LTC6994IS6-1#WTRMPBF
Analog Devices · 封装：TSOT-23-6
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、高电平输出电流 - 16 mA、低电平输出电流 16 mA、功能 Programmable Delay Line、传播延迟时间 1 us to 33.6 s，采用 TSOT-23-6 封装。LTC6994IS6-2#WTRMPBF
Analog Devices · 封装：TSOT-23-6
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、高电平输出电流 - 16 mA、低电平输出电流 16 mA、功能 Programmable Delay Line、传播延迟时间 1 us to 33.6 s，采用 TSOT-23-6 封装。LTC6994IS6-2#WTRPBF
Analog Devices · 封装：TSOT-23-6
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、高电平输出电流 - 16 mA、低电平输出电流 16 mA、功能 Programmable Delay Line、传播延迟时间 1 us to 33.6 s，采用 TSOT-23-6 封装。SY100EP195VTG
Microchip Technology · 封装：TQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3.3 V、原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是、单件重量 0.002568 oz，采用 TQFP-32 封装。SY100EP195VTG-TR
Microchip Technology · 封装：TQFP-32
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是、型号别名 SY100EP195VTG TR、单件重量 0.002568 oz，采用 TQFP-32 封装。SY89295UMG
Microchip Technology · 封装：MLF-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、高电平输出电流 40 uA、低电平输出电流 - 300 uA、功能 Programmable Delay Line、传播延迟时间 3200 ps to 4200 ps，采用 MLF-32 封装。SY89295UMG-TR
Microchip Technology · 封装：MLF-32
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是、型号别名 SY89295UMG TR，采用 MLF-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。