DS1100Z-50+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Tapped Delay Line，采用 SOIC-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录DS1100Z-50+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-50/T&R+MOT
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括原产国家或地区 美国、型号别名 DS1100Z 90-1100T+M50，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-500+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、晶圆制造国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-500+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-60+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-60+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-75+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-75+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。DS1110E-100+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 TSSOP-14 封装。DS1110LE-100+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 TSSOP-14 封装。DS1110LE-100+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 TSSOP-14 封装。DS1110LE-200+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 TSSOP-14 封装。DS1110LE-500+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、高电平输出电流 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS、功能 Tapped Delay Line，采用 TSSOP-14 封装。DS1110LE-500+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 TSSOP-14 封装。DS1110S-100+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Tapped Delay Line，采用 SO-16 封装。DS1110S-125+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SO-16 封装。DS1110S-250+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SO-16 封装。DS1135LZ-10+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。DS1135LZ-12+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Multiple Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。