DS1100Z-125+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录DS1100Z-150+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-150+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-175+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-20+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Tapped Delay Line，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-20+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-200+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Tapped Delay Line，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-200+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-25+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Tapped Delay Line，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-25+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-250+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Tapped Delay Line，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-250+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-30+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-30+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-35+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、组装国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-35+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-40+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-40+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-45+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、功能 Tapped Delay Line、传播延迟时间 45 ns，采用 SOIC-8 封装。DS1100Z-45+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Tapped Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。