LTC6994IDCB-2#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 DFN-6 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录LTC6994IDCB-1#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 DFN-6 封装。LTC6994IS6-1#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 SOT-6 封装。LTC6994MPS6-2#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 SOT-6 封装。LTC6994MPS6-1#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 SOT-6 封装。DS1135LU-10+
Maxim Integrated · 封装：uSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 uSOP-8 封装。DS1135LU-10+T&R
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。DS1135LU-30+T
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。SY604JZ
Microchip Technology / Micrel
主要参数包括湿敏性 是。DS1023S-100+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 70 C、最小工作温度 0 C、高度 2.35 mm，采用 SOIC-Wide-16 封装。DS1135LU-15+T&R
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。DS1135LU-15+
Maxim Integrated · 封装：uSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 uSOP-8 封装。DS1135U-25+
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。DS1135LU-20+
Maxim Integrated · 封装：uSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 uSOP-8 封装。MC100EP195BFAG
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Programmable Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 中国，采用 LQFP-32 封装。MC100EP195BMNG
onsemi · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Programmable Delay Line、传播延迟时间 2.5 ns、电路数 1 Circuit、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。MC100EP195FAG
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Programmable Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、组装国家或地区 中国，采用 LQFP-32 封装。MC100EP195FAR2G
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Programmable Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 CZ，采用 LQFP-32 封装。MC100EP196BMNG
onsemi · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Programmable Delay Line、传播延迟时间 2.5 ns、电路数 1 Circuit、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。MC100EP196FAG
onsemi · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Programmable Delay Line、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、组装国家或地区 CZ，采用 LQFP-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。