MC100EP195FAR2G
ON Semiconductor · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.45 mm，采用 LQFP-32 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录DS1135LZ-10+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。HMC856LC5TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） - 2.9 V、电源电压（最小值） - 3.7 V、数据速率 28 Gb/s、逻辑类型 CML、输入信号类型 Differential、功能 Wideband Time Delay，采用 QFN-32 封装。HMC877LC3TR
Analog Devices
Delay Lines / Timing Elements Broadband Time Delay, 540deg AnalogHMC911LC4BTR
Analog Devices
Delay Lines / Timing Elements Broadband Time Delay, DC-24GHzDS1135LZ-25+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LU-25+T
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。SN74LS31NSR
Texas Instruments · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、逻辑类型 2-Input NAND、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 70 C、最小工作温度 0 C，采用 SO-16 封装。DS1100LZ-20/T+MOT
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、逻辑类型 TTL, Low-Power CMOS、功能 Active Tapped Delay Line，采用 SOIC-8 封装。HMC877LC3TR-R5
Analog Devices
Delay Lines / Timing Elements Broadband Time Delay, 540deg AnalogDS1100Z-50/T&R+MOT
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 90-1100T+M50 DS1100Z。LTC6994IDCB-2#TRMPBF
Analog Devices · 封装：DFN-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 DFN-6 封装。HMC910LC4BTR-R5
Analog Devices
Delay Lines / Timing Elements brdbnd Analog Time Delay SMT DC-24 GHzLTC6994CDCB-1#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 DFN-6 封装。LTC6994CS6-1#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 SOT-6 封装。LTC6994CS6-2#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 SOT-6 封装。LTC6994CDCB-2#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 DFN-6 封装。LTC6994HS6-2#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 SOT-6 封装。LTC6994HDCB-1#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 DFN-6 封装。LTC6994HDCB-2#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 DFN-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。