DS1100LU-250+T
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录DS1100Z-20+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1135Z-12+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100U-250+T
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。MC10E196FNG
ON Semiconductor · 封装：PLCC-28
主要参数包括电源电压（最大值） 5.7 V、电源电压（最小值） 4.2 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 0 C、高度 3.69 mm，采用 PLCC-28 封装。LTC6994HS6-1#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 SOT-6 封装。SY89296UTG-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：TQFP-32
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 SY89296UTG TR、单件重量 0.002568 oz，采用 TQFP-32 封装。SY89296UMG-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-32
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 SY89296UMG TR，采用 MLF-32 封装。LTC6994HS6-2#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-6
主要参数包括工作电源电流 0.055 mA，采用 SOT-6 封装。DS1023S-200+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 70 C、最小工作温度 0 C、高度 2.35 mm，采用 SOIC-Wide-16 封装。MC100EP196BFAG
ON Semiconductor · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.45 mm，采用 LQFP-32 封装。NB6L295MMNTXG
ON Semiconductor · 封装：QFN-24 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 QFN-24 EP 封装。EL9115ILZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.88 mm、长度 5 mm、宽度 5 mm、湿敏性 是，采用 QFN EP 封装。HMC856LC5
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） - 2.9 V、电源电压（最小值） - 3.7 V、数据速率 28 Gb/s、逻辑类型 CML、输入信号类型 Differential、功能 Programmable Delay，采用 QFN-32 封装。EL9115ILZ-T13
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.88 mm、长度 5 mm、宽度 5 mm、湿敏性 是，采用 QFN EP 封装。DS1135LZ-20+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。HMC856LC5TR-R5
Analog Devices
Delay Lines / Timing Elements 5-Bit brdbnd dig Time Delay SMT, 28 GbpsDS1135LZ-30+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。HMC910LC4BTR
Analog Devices
Delay Lines / Timing Elements brdbnd Analog Time Delay SMT DC-24 GHzHMC911LC4BTR-R5
Analog Devices
Delay Lines / Timing Elements Broadband Time Delay, DC-24GHz型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。