DS1100LZ-500+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录DS1135Z-10+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LZ-25+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LZ-45+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100Z-75+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100Z-60+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1110LE-500+T&R
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.9 mm，采用 TSSOP-14 封装。DS1100LZ-30+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LU-100+T&R
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。DS1100LZ-50+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。MC100EP196FAR2G
ON Semiconductor · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.45 mm，采用 LQFP-32 封装。DS1100Z-500+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LU-200+
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。LTC6994CDCB-2#TRMPBF
Analog Devices · 封装：DFN-6
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、功能 Programmable Delay、传播延迟时间 1 us to 33.6 s、最大工作温度 + 70 C、最小工作温度 0 C，采用 DFN-6 封装。SY89295UTG-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：TQFP-32
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 SY89295UTG TR、单件重量 0.002568 oz，采用 TQFP-32 封装。DS1135Z-6+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LZ-150+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。SY100EP196VTG-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：TQFP-32
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 SY100EP196VTG TR、单件重量 0.002568 oz，采用 TQFP-32 封装。DS1135Z-20+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LZ-40+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。