DS1100U-75+
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录LTC6994IDCB-1#TRMPBF
Analog Devices · 封装：DFN-6
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、功能 Programmable Delay、传播延迟时间 1 us to 33.6 s、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-6 封装。SY100EP196VTG
Microchip Technology / Micrel · 封装：TQFP-32
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.002568 oz，采用 TQFP-32 封装。DS1023S-500+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 70 C、最小工作温度 0 C、高度 2.35 mm，采用 SOIC-Wide-16 封装。DS1135Z-15+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。NB6L295MNTXG
ON Semiconductor · 封装：QFN-24 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 QFN-24 EP 封装。DS1135LZ-15+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。SY100E196JY
Microchip Technology / Micrel · 封装：PLCC-28
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.041719 oz，采用 PLCC-28 封装。DS1124U-25+
Maxim Integrated · 封装：USOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、接口类型 3-Wire Serial、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Programmable 8-Bit Delay Line，采用 USOP-10 封装。SLG7NT4129V
Silego Technology · 封装：TDFN-12
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.71 V、低电平输出电流 1.836 mA, 14.6 mA、接口类型 PCI、功能 PCIe Delay Line、传播延迟时间 3 ms，采用 TDFN-12 封装。MC10EP195FAG
ON Semiconductor · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.45 mm，采用 LQFP-32 封装。DS1100Z-125+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。SY89295UMG-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-32
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 SY89295UMG TR，采用 MLF-32 封装。DS1135LU-12+
Maxim Integrated · 封装：uSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 uSOP-8 封装。DS1135LU-30+
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。DS1135Z-25+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100Z-35+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1124U-25+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 90-1124P+025 DS1124U。DS1100LZ-125+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100Z-50+T&R
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。