DS1100LZ-100+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Active Tapped Delay Line，采用 SOIC-Narrow-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录DS1100Z-125+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1110LE-100+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.9 mm，采用 TSSOP-14 封装。DS1100Z-250+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Active Tapped Delay Line，采用 SOIC-Narrow-8 封装。SY89296UMG
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、功能 Precision Programmable Delay、传播延迟时间 3200 ps to 4200 ps、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 MLF-32 封装。DS1100LZ-500+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100U-60+
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Active Tapped Delay Line，采用 USOP-8 封装。DS1135Z-12+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 -1 mA、低电平输出电流 12 mA、功能 Active Multiple Delay Line、传播延迟时间 12 ns，采用 SOIC-8 封装。DS1100LZ-250+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100U-250+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、功能 Active Tapped Delay Line、传播延迟时间 250 ns，采用 UMAX-8 封装。DS1110S-350+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 2.35 mm，采用 SOIC-Wide-16 封装。DS1100LU-125+
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 USOP-8 封装。MC100EP196BMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-32 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Programmable Delay Line、传播延迟时间 2.5 ns、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 EP 封装。DS1135Z-25+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LU-30+
Maxim Integrated · 封装：uSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 uSOP-8 封装。DS1135Z-20+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LZ-40+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100U-20+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS、功能 Active Tapped Delay Line，采用 UMAX-8 封装。DS1135LZ-12+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1110LE-200+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.9 mm，采用 TSSOP-14 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。