DS1100Z-35+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。逻辑与时钟
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
45,197 条型号记录DS1100Z-40+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100Z-25+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Active Tapped Delay Line，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1023S-100+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 70 C、最小工作温度 0 C、高度 2.35 mm，采用 SOIC-Wide-16 封装。NB6L295MNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-24 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、功能 Active Programmable Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.95 mm，采用 QFN-24 EP 封装。DS1100Z-100+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Active Tapped Delay Line，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LU-20+
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Active Tapped Delay Line，采用 USOP-8 封装。DS1100LZ-25+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Active Tapped Delay Line，采用 SOIC-Narrow-8 封装。SN74LS31N
Texas Instruments · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Multiple Delay Line、最大工作温度 + 70 C、最小工作温度 0 C、高度 4.57 mm，采用 PDIP-16 封装。DS1100LZ-50+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、高电平输出电流 -1 mA、低电平输出电流 8 mA、功能 Active Tapped Delay Line、传播延迟时间 50 ns，采用 SOIC-8 封装。DS1135LZ-20+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、功能 Active Multiple Delay Line、传播延迟时间 20 ns, 20 ns, 20 ns，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100Z-500+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LZ-20+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 8 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Active Tapped Delay Line，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1135Z-10+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、功能 Active Multiple Delay Line、传播延迟时间 10 ns, 10 ns, 10 ns，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1110E-500+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 0.9 mm，采用 TSSOP-14 封装。DS1100LZ-75+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100LZ-35+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1110LE-500+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、高电平输出电流 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS、功能 Active Tapped Delay Line，采用 TSSOP-14 封装。DS1100LZ-30+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、功能 Active Tapped Delay Line、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS1100Z-200+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、高电平输出电流 - 1 mA、低电平输出电流 12 mA、逻辑类型 CMOS, TTL、功能 Active Tapped Delay Line，采用 SOIC-Narrow-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。